當前，5G 通信技術、新能源汽車推廣以及光電應用推動寬禁帶半導體產業蓬勃發展，各國積極開展戰略部署，通過建立創新中心、聯合研發等方式，加大產學研政協同組織和投入，推進產品級開發和終端應用，形成了美歐日三足鼎立的產業布局，其中美國憑借科銳、道康寧等國際巨頭，居于領導地位，占有全球碳化硅產量的70—80%。而隨著中美貿易爭端加劇，美不斷加大對我寬禁帶半導體材料技術封鎖。美外資投資委員會以“國家安全”為由封殺了多起中資參與的并購案，包括我產業基金對美、德半導體材料設備企業的收購。

我寬禁帶半導體材料研發始于2004年，發展至今在國際仍處于產業跟跑階段，關鍵核心技術亟待突破。當前，寬禁帶半導體在電力電子和射頻器件領域面臨重要窗口期，國際半導體產業巨頭尚未對行業標準和技術形成完全壟斷，在政策和市場雙重推動下，我國寬禁帶半導體產業發展正當時。但工業基礎薄弱、產業化滯后、產業生態不完善始終制約我寬禁帶半導體材料實現自主可控，表現為三大瓶頸：

部分籽晶、高純碳粉、高純氣體等原材料，石墨坩堝、碳基保溫材料等生產物料主要依賴進口，存在被國外壟斷、禁運的風險。生產設備國產化率不高，如單晶爐主要由美國科銳、德國愛思強、日本三菱供貨，研磨機、拋光機、外延爐等生產裝備，微觀分析儀器等檢測設備也主要依賴進口。

國內企業在制備碳化硅晶圓的技術工程化過程中仍存在提純、控溫、切割拋光等工藝技術難題，同時分析檢測手段相對不足，微觀特性差距嚴重影響晶體材料的質量和性能，導致質量不及國外，成本較高，器件企業不敢用，國產化替代難。

國內碳化硅材料企業規模較小，如北京天科合達半導體公司2—4英寸碳化硅晶圓的產能僅7萬片/年，而領域代表性企業美國科銳的產能按6英寸折算約為80萬—100萬片/年，約占全球市場的80%。此外，國外半導體材料研發投入比國內早近 20年，市場占有率較高，導致國內器件企業的研發大都建立在國外晶圓的基礎上。而國內半導體材料企業由于初期難以得到下游器件企業的技術反饋，質量提升較慢。

應充分發揮材料、工藝和裝備一體化優勢，盡快突破大尺寸、高性能單晶襯底產業化技術，結合產業發展的需要，開發先進的國產化工藝裝備和材料，以滿足寬禁帶半導體高速發展的需求。

制定包括技術集成、產品應用、商業模式、工程監管、標準檢測等在內的系統化、集成化實施方案，重點開展面向電動汽車、新能源與能源互聯網、5G 通信以及智能照明等重點領域的試點示范。

當前，多家中央企業均積極布局寬禁帶半導體材料研發與應用。建議主管部門統籌整合上下游央企科研力量，給予資金支持和政策傾斜，圍繞寬禁帶半導體材料制備工藝技術和設備開展聯合攻關，加快實現我寬禁帶半導體產業自主可控。

鼓勵發展寬禁帶半導體專用材料及器件生產線，尤其針對有半導體行業經驗的大型企業集團。應用方面建議從對可靠性要求相對較低的消費級電子產業、對寬禁帶半導體器件有剛性需求的產業（如光伏逆變器、5G 通信）、受政策導向影響較大的產業（如充電樁）等逐步切入市場。

建議針對美、日等對我封鎖嚴格的國家，可通過人才和技術引進，或者在當地設研發中心的方式獲得技術資源。針對歐洲和俄羅斯，可考慮尋找中小規模材料或器件企業整體并購或團隊整體引進的方式獲得合作。